Китайские ученые создали «гибрид» памяти SRAM и DRAM

Китайские ученые создали «гибрид» памяти SRAM и DRAM

Новая «квазиэнергонезависимая память» займет место в крайне востребованной нише между энергозависимой и энергонезависимой памятью.

Исследователи из Университета Фудань в Шанхае (Китай) с помощью двумерных материалов и традиционных технологий создали транзистор с затвором новой конструкции – об этом говорится в их публикации в журнале Nature. Созданные на базе таких процессоров устройства памяти будут лишены недостатков статической памяти произвольного доступа (SRAM) и динамической памяти произвольного доступа (DRAM), имея при этом практически все преимущества обеих. Новый тип памяти исследователи назвали «квазиэнергонезависимая память».

Как известно, в устройствах энергонезависимой памяти на базе транзисторов традиционно используются полевые МОП-транзисторы с плавающим затвором, впервые созданные еще в 1967 г. Эта технология хороша всем, кроме скорости переключения состояния транзистора – около миллисекунды, что не позволяет использовать такие решения для компьютерных приложений, требующих высокой скорости перезаписи.

Сейчас же среди разработчиков набирает популярность технология для создания микроэлектронных устройств, которая использует транзисторы с «полуплавающим затвором» (semi-floating gate, SFG). В отличие от обычного полевого транзистора SFG-транзистор «запоминает» напряжение, поданное на затвор. Поэтому созданная китайскими исследователями SFG-память не такая требовательная ко времени обновления. Если память DRAM, чтобы сохранить данные, требует обновления каждые 64 миллисекунды, то новая память способна хранить данные при обновлении раз в 10 секунд (поэтому она получила название «квазиэнергонезависимая»). Время записи у SFG-памяти при этом составляет 15 наносекунд, что сравнимо со скоростью DRAM-памяти с ее показателем в 10 наносекунд. Уникальные для 2D-памяти результаты позволяют SFG-решениям значительно экономить электроэнергию и показывать отличные скоростные характеристики.

На данный момент главная задача группы исследователей – подготовить технологию для производства пластин с квазиэнергонезависимой памятью в промышленных масштабах. Если этого удастся добиться, технология будет реализована в разных устройствах памяти для тех приложений, где требуется сэкономить электроэнергию, но сохранить высокую производительность.