Китайські вчені створили «гібрид» пам’яті SRAM і DRAM

Китайські вчені створили «гібрид» пам’яті SRAM і DRAM
Фото: Image: School of Microelectronics, Fudan University

Нова «квазіенергонезалежна пам’ять» посяде місце у вкрай затребуваній ніші між енергозалежною і енергонезалежною пам’яттю.

Дослідники з Університету Фудань у Шанхаї (Китай) за допомогою двовимірних матеріалів і традиційних технологій створили транзистор із затвором нової конструкції – про це йдеться в їхній публикації у журналі Nature. Створені на базі таких процесорів пристрої пам’яті будуть позбавлені недоліків статичної пам’яті довільного доступу (SRAM) і динамічної пам’яті довільного доступу (DRAM), натомість матимуть практично всі переваги обох. Новий тип пам’яті дослідники назвали «квазіенергонезалежна пам’ять».

Як відомо, у пристроях незалежної пам’яті на базі транзисторів традиційно використовують польові МОН-транзистори з плавним затвором, вперше створені ще 1967 р. Ця технологія має багато переваг, окрім швидкості перемикання стану транзистора – близько мілісекунди, що не дає змоги використовувати подібні пристрої для комп’ютерних програм, які вимагають високої швидкості перезапису.

Зараз же розробники дедалі частіше послуговуються технологією для створення мікроелектронних пристроїв, яка використовує транзистори з «напівплавним затвором» (semi-floating gate, SFG). На відміну від звичайного польового транзистора SFG-транзистор «запам’ятовує» напругу, подану на затвор. Тому створена китайськими дослідниками SFG-пам’ять не така вимоглива до часу оновлення. Якщо пам’ять DRAM, щоб зберегти дані, потребує оновлення кожні 64 мілісекунди, то нова пам’ять здатна зберігати дані з оновленням раз на 10 секунд (тому її назвали «квазіенергонезалежна»). При цьому SFG-пам’ять має час запису 15 наносекунд, що можна порівняти зі швидкістю DRAM-пам’яті з її показником у 10 наносекунд. Завдяки унікальним для 2D-пам’яті результатам SFG-продукти споживають значно менше енергії та мають чудові швидкісні характеристики.

Тепер головне завдання групи дослідників – підготувати технологію для виробництва пластин з квазіенергонезалежною пам’яттю в промислових масштабах. Якщо цього вдасться досягти, технологію буде реалізовано в різних пристроях пам’яті для тих додатків, де потрібно заощадити електроенергію, але зберегти високу продуктивність.



Leave a Reply